Equipe Mémoires
Memories Team


Adresse : IM2NP
Polytech' Marseille, Dpt Microélectronique
Technopôle de Château-Gombert
38, Rue Frédéric Joliot-Curie
13451 Marseille Cedex 20
France
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Karlsuss 8’& Cascade 8'

Karlsuss 8’ (Semi-auto) & Karlsuss 6’

Testeur Agilent 93000 SOC series & Prober Electroglas 1rgos 200/300 mm

Thèmes de recherche :

L’équipe « Mémoires », forte de 14 enseignants-chercheurs (5 PR et 9 MCF) et de 11 doctorants, adresse un large panel de solutions mémoires à tous les stades de maturité.

Pour ce faire, une démarche globale est mise en œuvre, allant des matériaux fonctionnels constituant l’élément de mémorisation, jusqu’au circuit mémoire en passant par les dispositifs mémoires isolés ou matricés. Les études menées sur l’ensemble de la chaîne de valeur s’appuient sur des moyens matériels de caractérisation et de test adaptés à chaque niveau d’étude. En effet, l’équipe dispose de moyens de nano-caractérisation (AFM) des matériaux fonctionnels constituant l’élément de mémorisation, d’un testeur industriel (Verigy 93k) pour les circuits mémoires, en passant par des bancs de caractérisation sous pointes pour les éléments mémoires isolés ou matricés. De plus, des compétences fortes en modélisation sont développées pour couvrir là aussi l’ensemble de la chaîne, de la modélisation des mécanismes physiques responsables du changement d’état logique, au développement de modèles compacts autorisant une évolution vers la simulation au niveau circuit. Les thèmes de recherche de l’équipe « Mémoires » sont organisés autour de 2 thématiques majeures:

Etude de la fiabilité sous sollicitations externes

  • Diélectriques simples et multicouches
  • Fiabilité sous sollicitations des cellules mémoires
  • Optimisation en vue de la fiabilité

Développement de solutions innovantes

  • Développement et intégration de solutions mémoires 
  • Intégration de mémoires émergentes sur support souple 
  • Cellules mémoires distribuées 
Mots clefs :

Mémoires « base line », Mémoires prototypes (1TDRAM, Flash Nano-dots, Split-gate…), Mémoires émergentes (FRAM, MRAM, RRAM), Mémoires volatiles et non volatiles en production (EEPROM, Flash, SRAM…), Diélectriques simples et multicouches, fiabilité, TCAD, modèles compacts, Conception en vue du test-diagnostic-fabrication-rendement, Variabilité, Radiation, Caractérisation physique-électrique-test.

Equipements spécifiques :
  • Caractérisation physique/électrique : AFM Veeco Nanoscope 3100
  • Caractérisation électrique : Karlsuss 8’ dont 1 banc semi-automatique, Karlsuss 6’, Cascade 8’
  • Test fonctionnel : Verigy 93k, Prober Electroglas Argos 8’/12’

Partenaires :

  • Atmel (Rousset), Cadence (Sophia Antipolis), Crocus Technology (Grenoble), Infineon (Sophia Antipolis), Inside Contactless (Aix-en-Provence), Numonyx (Agrate), Singulus (Kahl am Main), STMicroelectronics (Crolles, Rousset), Tower Semiconductor (Migdal Haemek), Xilinx (San Jose)·        
  • CEA (LETI), ONERA (Toulouse), IRSN (Cadarache), IMEC (Leuven)·                  
  • IMS (Bordeaux), LEAT (Sophia Antipolis), LSBB (Rustrel), MDM (Milano), Politecnico di Milano (Milan), RWTH (Aachen)·                  
  • Pôle SCS, CIM-PACA (conception, caractérisation), Institut Carnot STAR, CG13, Région PACA, DGCIS, Commission Européenne

Ressourcement :

  • Projets focalisés / CIM-PACA : Rousset 2012, EREVNA, TYM
  • Programme ANR PNANO, MEMOIRE
  • Projets FUI/DGCIS : MADISON, Nano 2012
  • Projets européens (FLEUR, EMMA, TIMI)
  • Projets abondés par l’Institut Carnot STAR (FastMem, CORNFlex, Metronome)

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