Publications, communications :

Revues Internationales avec comité de lecture depuis 2006

1. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, S. Boutahar, R. Bouchakour, O. Pizzuto, A. Régnier, « Impact of Stress on Fowler-Nordheim Parameters Effects on EEPROM Threshold Voltage », Journal of Non-Crystalline Solids, vol. 353, issues 5-7, p.610-614, 2007.
DOI: 10.1016/j;jnoncrysol.2006.11.020

2. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, B. Bertello, B. Villard, « Extraction of 3D parasitic capacitances in 90nm and 22nm NAND Flash Memories », Microelectronics Reliability, vol. 49, issues 9-11, p.1056-1059, 2009.
DOI: 10.1016/j.microrel.2009.06.020

3. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, L. Morancho, « Modeling charge variation during data retention of MLC NOR Flash Memories », Microelectronics Reliability, vol. 49, issues 9-11, p.1060-1063, 2009.
DOI: 10.1016/j.microrel.2009.06.034

4. J. Postel-Pellerin, R. Laffont, G. Micolau, F. Lalande, A. Régnier, B. Bouteille, « Leakage paths identification in NVM using biased data retention », Microelectronics Reliability, vol. 50, issues 9-11, p.1474-1478, 2010.
DOI: 10.1016/j.microrel.2010.07.074

5. G. Micolau, J. Postel-Pellerin, R. Laffont, F. Lalande, C. Le Roux, J.-L. Ogier « Evaluation of the extrinsic cells number in a memory array using crosscorrelation products and deconvolution », Inverse Problem in Science & Engineering, vol. 19, issue 8, p.1043-1062, 2011.
DOI: 10.1080/17415977.2011.579603

 

Chapitres dans des ouvrages scientifiques depuis 2006

J. Postel-Pellerin, G. Micolau, R. Laffont, F. Lalande, C. Le Roux, J.-R. Raguet, « Flash Type Non-Volatile Memories », in Horizons in Computer Science Research, vol. 2, Chapter 12,  p.355-399, Nova Science Publishers, 2011.
ISBN: 978-1-61761-439-2

 

Conférences Internationales avec comité de lecture depuis 2006

1. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, S. Boutahar, R. Bouchakour, O. Pizzuto, A. Régnier, « Impact of Stress on Fowler-Nordheim Parameters Effects on EEPROM Threshold Voltage », 6th Symposium “SiO2, advanced dielectrics and related devices”, p.30-31, Mondello, Italy, 2006.

2. J. Postel-Pellerin, P. Canet, F. Lalande, R. Bouchakour, F. Jeuland, B. Bertello, B. Villard, « A full TCAD simulation and 3D parasitic capacitances extraction in 90nm NAND Flash Memories », Proceedings of IEEE NVMTS (Non-Volatile Memory Technology Symposium), p.86-89, Pacific Grove (CA), USA, 2008.
DOI: 10.1109/NVMT.2008.4731200

3. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, B. Bertello, B. Villard, « TCAD Investigation of abnormal degradation of inhibited cells in NAND Flash structures », Proceedings of IEEE SISPAD  (International Conference on Simulation of Semiconductor Process and Devices), p.1-3, San Diego (CA), USA, 2009.
DOI: 10.1109/SISPAD.2009.5290208

4. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, B. Bertello, B. Villard, « Extraction of 3D parasitic capacitances in 90nm and 22nm NAND Flash Memories », European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Arcachon, France, 2009.

5. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, L. Morancho, « Modeling charge variation during data retention of MLC NOR Flash Memories », European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Arcachon, France, 2009.

6. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, R. Bouchakour, F. Jeuland, B. Bertello, « A full 2D and 3D TCAD simulation of ultimate 22nm NAND Flash Memories », Proceedings of IEEE NVMTS (Non-Volatile Memory Technology Symposium), p.80-82, Portland (OR), USA, 2009.
DOI: 10.1109/NVMT.2009.5429787

7. J. Postel-Pellerin, R. Laffont, G. Micolau, F. Lalande, A. Régnier, B. Bouteille, « Biasing EEPROM cells during data retention to identify leakage paths », European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, Gaeta, Italy, 2010.

8. V. Della Marca, J. Amouroux, J. Delalleau, L. Lopez, J.-L Ogier, J. Postel-Pellerin, F. Lalande, G. Molas « Energy consumption optimization in nonvolatile silicon nanocrystal memories », Proceedings of IEEE CAS (International Semiconductor Conference), p.339-342, Sinaia, Romania, 2011.
DOI: 10.1109/SMICND.2011.6095810

9. V. Della Marca, J.-L Ogier, J. Postel-Pellerin, F. Lalande, G. Molas « New direct measurement technique of programming current for Flash memory cell energy consumption optimization », Proceedings of IEEE SISC, Arlington (VA), USA, 2011.

10. V. Della Marca, A. Régnier, J.-L Ogier, R. Simola, S. Niel, J. Postel-Pellerin, F. Lalande, G. Molas « Toward a Flash memory cell for low energy applications », Proceedings of IEEE ISDRS (International Semiconductor Device Research Symposium), p.1-2, College Park (MD), USA, 2011.
DOI: 10.1109/ISDRS.2011.6135271

11. R. Djénadi, G. Micolau, J. Postel-Pellerin, R. Laffont, J.-L. Ogier, F. Lalande, J. Melkonian « Fast extraction of extrinsic cells in a NVM array after retention under gate stress », Proceedings of IEEE ISDRS (International Semiconductor Device Research Symposium), p.1-2, College Park (MD), USA, 2011.
DOI: 10.1109/ISDRS.2011.6135222

 

Rapports industriels depuis 2006

1. P. Canet, F. Lalande, R. Bouchakour, J. Postel-Pellerin, « Thème technologie des mémoires : Optimisation de cellules EEPROM », Contrat CG13 phase 3 ST-Microelectronics L2MP-Polytech Marseille, 2005/2006.

2. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, F. Jeuland, B. Bertello, « NAND Flash NVM Reliability : Retention after cycling », Rapport annuel du projet EREVNA ATMEL-L2MP, Rousset, France, Mai 2006.

3. J. Postel-Pellerin, F. Lalande, P. Canet, F. Jeuland, B. Bertello, « NAND Flash NVM Reliability : Retention after cycling », Rapport annuel du projet EREVNA ATMEL-L2MP, Rousset, France, Mars 2007.