 | Isabelle Perichaud |
| IM2NP Faculté des Sciences et Techniques Avenue Escadrille Normandie Niemen Service 231 13397 Marseille Cedex 20 France téléphone : + 33 (0) 4 91 28 83 49 fax : +33 (0) 4 91 28 88 52 mail : isabelle.perichaud@im2np.fr |
| | Isabelle Perichaud |
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Maître de conférences, Université d'Aix-Marseille Aix – Marseille III
Domaines d'activité :
Interactions impuretés-défauts et impuretés-impuretés dans le silicium cristallin, Effet sur les propriétés électriques du matériau
Traitements d’effet getter visant à extraire les impuretés des zones actives de la plaquette – Traitements de passivation
Publications récentes dans des revues avec comité de lecture
Publications dans des revues avec comité de lecture :Martinuzzi S., Gauthier M., Barakel D., Perichaud I., Le Quang N., Palais O., Goaer G.- Minority carrier bulk lifetimes through a large multicrystalline silicon ingot and related solar cell properties.- European Physical Journal : Applied Physics,- vol. 40, p. 83-88, 2007
Martinuzzi S., Perichaud I., Palais O.- Segregation phenomena in large-size cast multicrystalline Si ingots.- Solar Energy Materials and Solar Cells,- vol. 91, p. 1172, 2007
Degoulange J., Perichaud I., Trassy C., Martinuzzi S.- Multicrystalline silicon wafers prepared from upgraded metallurgical feedstock.- Solar Energy Materials and Solar Cells,- vol. 92, p. 1269-1273, 2008
Halbwax M., Sarnet T., Delaporte Ph., Sentis M., Etienne H., Torregrosa F., Vervisch V., Perichaud I., Martinuzzi S.- Micro and nano-structuration of silicon by femtosecond laser : Application to silicon photovoltaic cells fabrication.- Thin Solid Films,- vol. 516, p. 6791-6795, 2008
Publications dans des congrés avec comité de lecture :
Limiting factors of gettering treatments in mc-Si wafers from the metallurgical route, I. Perichaud, S. Martinuzzi, J. Degoulange, C. Trassy, European Material Research Society, 2008, Strasbourg, France, in Mat. Sciences and Eng. (à paraître)
Publications dans des congrés sans comité de lecture :
Electrical properties and native impurities in mc-Si wafers prepared from upgraded metallurgical feedstock, J. Degoulange, I. Perichaud, C. Trassy, S. Martinuzzi, Proc. of 33rd IEEE Photovoltaïc Specialists Conference San Diego USA, 2008
